来自 三星手表型号 2020-06-18 18:49 的文章

三星7纳米EUV的量产与TSMC相比

作者:三星智能手表gea 文章来源:未知

三星最近发布的2018年第四季度收益指南显示,三星的季度收益将大幅下降,同比下降9%,环比下降38.5%。收入大幅下降的主要原因是三星智能手机销售疲软,以及最关键的存储芯片降价。这一趋势将持续到今年上半年。

为了弥补存储芯片降价周期的影响,三星已经开始加强合同制造业务,并希望赶上TSMC,后者将不得不与TSMC争夺先进技术的生产时间。三星高管表示,他们将在今年下半年大规模生产7纳米EUV工艺,并在2021年生产更先进的3纳米砷化镓工艺。

汤姆斯硬件网站报道称,三星晶圆代工市场副总裁瑞安桑赫恩李透露,三星自2002年以来一直在开发砷化镓技术。多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)是通过使用纳米芯片设备制造的,这可以显著增强晶体管的功能。

根据他的消息,三星将在2021年大规模生产3纳米砷化镓技术。

去年年底,三星宣布将在2020年使用4纳米砷化镓工艺。加纳副总裁王(Samuel Wang)等业内人士透露了对2022年之前砷化镓芯片生产的怀疑,但他也表示,三星可能会比预期提前投产砷化镓芯片。

除了三星关于何时批量生产3nm GAA工艺的声明似乎没有统一的外观。三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung在去年12月的IEDM会议上表示,三星已经完成了对3nm工艺的功能验证,并正在进一步完善该工艺,其政策是在2020年进行大规模生产。

3纳米砷化镓工艺仍将在2020年或2021年大规模生产。今天,它还是有点遥远。三星今年主要推动7纳米EUV进程。据估计,今年下半年批量生产将达到——台。尽管三星宣布7纳米EUV工艺可以在今年年底大规模生产,但事实上,前面提到的大规模生产只是一次风险测试生产,远远没有达到大规模生产的底部。大规模生产只有在今年年底才有可能。

在7纳米EUV过程中,TSMC之前也发布了今年的大规模生产。三星的进步优势似乎消失了。除了三星在7纳米EUV过程中有自己开发的掩膜检测对象,而其他国家没有相同的贸易对象。

三星7纳米EUV的量产与TSMC相比