来自 三星手表资讯 2020-06-30 01:41 的文章

三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理

作者:三星智能手表最新 文章来源:未知

这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路疾走,固然有手艺之争但把曾经的带领者Intel远远甩在死后已经是不争的事实。

在美国举办的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星更是颁布将一连进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限!

三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻手艺,估计本年下半年投产。要害IP正在研发中,来岁上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

在7LPP工艺的根本上继续立异改善,可进一步缩小芯片焦点面积,带来超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管手艺,连系此前5LPE工艺的成熟手艺,芯单方面积更小,机能更高,能够快速达到高良率量产,也便利客户升级。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

Gate-All-Around就是围绕栅极,比拟于如今的FinFET Tri-Gate三栅极设计,将从新设计晶体管底层构造,降服当前手艺的物理、机能极限,增加栅极节制,机能大大提拔。

三星的GAA手艺叫做MBCFET(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。

各人可能认为三星的工艺首要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高机能范畴,三星也预备了杀手锏,大规模数据中心、AI人工智能、ML机械进修,7LPP和后续工艺都能供应办事,并有一整套平台解决方案。

好比高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器),三星就设计了2.5D/3D异构封装手艺。

而针对5G、车联网范畴的低功耗微掌握器(MCU)、下代联网设备,三星也将供应全套完整的交钥匙平台方案,从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君选择。

三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限

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