来自 三星智能手表排行 2020-07-18 09:42 的文章

3D NAND技术的转换促进产业洗牌战 三星/英特尔/东

作者:三星智能手表多少 文章来源:未知

NAND Flash财产在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后,正式转进3D NAND Flash时代,今朝三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)的3D NAND手艺最早都是源自于飞索(Spansion)的Charge Trap架构,独一破例的是英特尔Intel)和美光(Micron)仍是延续传统FloaTIng Gate架构,但从64层手艺起头,也都邑转成Charge Trap架构。

3D NAND技术的转换促进产业洗牌战 三星/英特尔/东芝各有应对招数

手艺转换往往会带给工业新一轮的洗牌战,跟不上脚步的制造商可能会从云端摔下,但也给新的供给商到场战局的机会,此次传统FloaTIng Gate架构转换至Charge Trap架构,给了大陆插足NAND Flash手艺开刊行列的一张门票,尤其是Charge Trap始祖飞索很早就与大陆合作,双方的合作是顺水推舟,从NOR Flash一路合作到Charge Trap架构的3D NAND手艺。

各家半导体大厂的3D NAND手艺早已如火如荼在开发中,今朝进入32层堆叠手艺,业界都认为2017年下半是3D NAND产能大量开出之时,今朝看来时间点是对的,但各家半导体大排场临的考验生怕会比预期艰钜数倍。

曩昔平面NAND Flash芯片朝两方眼前进,一是陆续有SLC、MLC、TLC型NAND Flash芯片的演进来提高储存容量并降低成本;二是制程手艺络续往前,今朝已经进入18/16/15纳米制程,但无法否认的是,手艺进步的同时,其NAND Flash的氧化层越薄,芯片靠得住性是递减的,是以需要用额外的体式来增加效能,这又使得成本晋升,是以,平面NAND Flash手艺已无法知足市场需求,起头进入3D NAND时代。

进入3D NAND手艺后,制程手艺的演进成为其次,堆叠层数才是重点,层数越高会使储存容量越大。不外,当堆叠层数越高时,各层瞄准的手艺就很坚苦,定位手艺必需做的好,因为堆越高会越难瞄准。

三星曾对外表现,不久未来会看到100层堆叠的手艺泛起。按照业界进度,2017年3D NAND手艺会到80层,2020年到100层,至于3D NAND手艺的堆叠极限在哪里里,各界也有分歧的见解,有人甚至认为可堆到200层,但以今朝手艺挑战而言,真的堆叠到200层,生怕瞄准的精准度是很大考验,可能良率也不见得太好,即使是2020年到100层,生怕难度都很高。

三星在3D NAND手艺世代上仍是龙头厂,是全球第一家量产3D NAND手艺的半导体厂,手艺演进也最扎实。三星在2013年推出24层叠的3D NAND芯片,之后32层堆叠、48层堆叠的芯片陆续问世。

三星规划本年第4季转进第四代64层堆叠手艺的3D NAND芯片,估量每片晶圆的储存容量再提高30%,意味成本持续下降,三星也对外指出,100层堆叠以上的手艺不是梦。

东芝的3D NAND手艺喊话也相当积极,原本号称要比三星更早量产64层堆叠手艺的3D NAND芯片,但今朝来看并未达阵。

三星的3D NAND手艺为3D V-NAND,而东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)合作开发的3D NAND手艺为BiCS,或是称P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable),无论是三三星的3D V-NAND架构或是东芝的BiCS架构,都是源自于Charge Trap Flash(CTF)手艺。

今朝所有开发3D NAND的存储器大厂中,只有英特尔和美光阵营不是用Charge Trap手艺,该阵营在32层手艺的手艺仍是沿用FloaTIng Gate手艺,应该是基于对于传统FloaTIng Gate既济的高把握度和成本考量。

举例,英特尔和美光推出的第一款3D NAND固然是用Floating Gate手艺生产,但其MLC型NAND Flash焦点容量就有256Gb,而TLC型能够做到384Gb,是今朝TLC型3D NAND中储存容量最大的。

英特尔和美光48层堆叠、容量32GB的3D NAND已经推出,体积和尺寸都比上一代小,效能更是晋升,将来也会朝第二代64层的3D NAND手艺迈进。

值得留意的是,英特尔和美光阵营从64层堆叠手艺起头,会转用Charge Trap手艺,将来应该都是此架构。

此外,英特尔除了3D NAND手艺外,也开发新型的3D XPoint快闪存储器,属于自成一格的手艺流派,也让外界臆测,英特尔鄙人世代的NAND Flash手艺上,是否有意陆续和美光画下界线。

英特尔的3D XPoint快闪存储器问世时,激发整个半导体业界的商议,因为其时英特尔释出的信息并不多,但陆续得知,3D XPoint快闪存储器其实是PCM相改变存储器的一种,不只可庖代NAND Flash,也有机会代替DRAM

正值NAND Flash家当从传统Floating Gate手艺转移到3D NAND Flash手艺之际,既有的半导体大厂已面临不少挑战,变量还良多,但如许的转折也给了新进者一个到场战局的机会,傍边最大受益者莫过于大陆。

大陆要提拔半导体芯片克己率到50%以上,损耗量复杂的存储器芯片绝对是不克缺席的要角,然要抢进已经如斯成熟的工业,手艺改朝换代之际是最好的时间点,大陆的存储器中心长江存储和武汉新芯就是卡到传统Floating Gate转到

3D NAND Flash手艺的转折点,又成功获得飞索(Spansion) Charge trap手艺的一臂之力,至少在进入NAND Flash家当的起跑点上,成功弯道超车拿到门票。

飞索和武汉新芯的合作要追溯至曩昔武汉新芯一向帮飞索代工NOR Flash芯片。在飞索2014年买给Cypress之前,飞索和三星针对Charge trap手艺打讼事,在息争后三星每年要付出给飞索Charge trap手艺的权力金,飞索手上握有此手艺算是大赢家,一手向三星收权力金,另一手授权给大陆Charge trap手艺。

长江存储估计最快是2017年末量产32层手艺的3D NAND,普遍而言掉队国际大厂两个世代。

但业界仍是存有疑问,因为3D NAND手艺的难度太高,即使是三星、东芝等大厂3D NAND手艺问世的时间点都是再三延后,三星的64层手艺也要到岁尾才量产,长江存储/武汉新芯今朝是2017岁尾量产32层手艺的3D NAND,但可否用于商用化?以及何时能追上国际大厂的速度,前方挑战还多少。

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