来自 三星智能手表价格 2020-07-23 19:40 的文章

三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速

作者:三星智能手表测评 文章来源:未知

智妙手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要合营,才能阐扬每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就公布起头大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。

三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速度较上一代更快

三星透露512GB的eUFS 3.1储存芯片,持续写入速度将高出1,200MB/s,比起如今沟通容量eUFS 3.0储存芯片的400MB/s,速度快达3倍。

同时512GB eUFS 3.1储存芯片的随机读写表示为100,000/70,000 IOPS,亦较eUFS 3.0的产物快60%。三星指新储存芯片只需90秒就能完成100GB的档案传输,旧款要4分钟以上,迥殊适合用于储存8K高分辨率影片。

有动静指三星可能会将512GB的eUFS 3.1储存芯片,率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note 20系列;之后三星还会陆续生产和供给128GB和256GB的eUFS 3.1储存芯片。
       责任编纂:wv

三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速