来自 三星智能手表价格 2020-07-24 20:11 的文章

新一代STT-MRAM升级到12nm,适用于各种嵌入式领域

作者:三星智能手表gea 文章来源:未知

GlobalFoundries、Everspin结合公布,双方已经杀青新的合作,将行使GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自扭转移矩磁阻内存),包孕自力的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一种非易失性存储,其前景被普遍看好,Intel、IBM、TDK三星、希捷等行业巨头多年来一向都在研究,读写速度能够媲美SRAM、DRAM等传统内存,但同时又是非易失性的,也就是能够断电积存数据,综合了传统内存、闪存的长处。

新一代STT-MRAM升级到12nm,适用于各种嵌入式领域

STT-MRAM则进一步经由自旋电流实现数据写入,具备布局简洁、成本低、损耗小、速度快等一系列长处,只是容量密度晋升艰巨,所以想庖代内存、闪存临时不实际,但非常适合用在各类嵌入式范畴。

GF、Everspin的良俦合作由来已久,2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的,单颗容量32MB,2019年的第二代则升级为GF 28nm,单颗容量翻了两番达到128MB。就在日前,GF 22FDX工艺成功试产了eMRAM,-40℃到125℃情况下可工作10万个周期,数据连结可长达10年。

进一步升级到12nm,天然有利于进一步晋升MRAM的容量密度,并继续降低成本,尤其是跟着MRAM芯片容量的提高,急迫需要更先辈的工艺。

GF 12nm工艺包孕12LP、12LP+两个版本,固然算不上多前辈但也有辽阔的用武之地,尤其适合节制器、微掌握器等,好比群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都企图到场eMRAM,从而晋升机能、降低延迟、提高QoS。固然人人可能感觉没见过MRAM,不外Everspin宣扬已经向100多家客户出货了1.25亿颗MRAM芯片,还援引申报称到2029年自力MRAM芯片发卖额可达40亿美元。

责任编纂:gt

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